本标准规定了使用二次离子质谱法（SIMS）检测太阳能级硅片和硅料中氧、碳、硼和磷元素体含量的方法，适用于单晶或多晶硅材料。

　　SIMS是一种高灵敏度的分析技术，通过铯离子束轰击样品表面，检测负离子信号来确定元素含量。以下是标准的核心步骤：

　　GB/T32281-2015相比前版主要提升了检测灵敏度和精度，特别是：

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　　本标准规定了太阳能级硅片和硅料中氧、碳、硼和磷元素体含量的二次离子质谱(SIMS)检测方法。 本标准适用于检测各元素体含量不随深度变化、且不考虑补偿的太阳能级单晶或多晶硅片或硅料中氧、碳、硼和磷元素的体含量。各元素体含量的检测上限均为0.2%(即1×1020atoms/cm3)，检测下限分别为氧含量≥5...